 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA16N50P - 场效应管 MOSFET N TO-263 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:43nC
功率, Pd:300W
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.42°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:2250pF
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
时间, trr 最大:200ns
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