| FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6910 - 场效应管 MOSFET 双 N SMD SO-8 |
晶体管极性:Dual N
漏极电流, Id 最大值:7.5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):13mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:1.8V
功耗:1.6W
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:7.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
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