 | SANYO - MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):500mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.5A
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 | SANYO - MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-5A
电压, Vds 最大:-12V
开态电阻, Rds(on):43mohm
电??? @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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