 | SANYO - FTD2011A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A TSSOP8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:20V
开态??阻, Rds(on):39mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.3W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TSSOP
封装类型:TSSOP
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:4A
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 | MICROCHIP - DSPIC30F5013-30I/PT - 芯片 数字信号控制器 16位 30MIPS 66K闪存 |
系列:dsPIC30F
核心频率:40MHz
接口:CAN, I2C, SPI, UART
输入/输出数:68
闪存容量:66KB
电源电压范围:2.5V to 5.5V
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装形式:TQFP
针脚数:80
封装类型:TQFP
封装类型:剥式
接口类型:CAN, I2C, SPI, UART
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.5V
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:30F5013
EEPROM存储器容量:1024Byte
PWM通道数:8
存储器容量, RAM:4096Byte
时钟频率:40MHz
模数转换器输入数:16
计时器数:5
输入/输出线数:68
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