![](icimg/93/92047.gif) | ON SEMICONDUCTOR - BUB323ZT4G - 双极性晶体管 达林顿型 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:350V
截止频率 ft, 典型值:2MHz
功耗, Pd:150W
集电???直流电流:10A
直流电流增益 hFE:3.4
工作温度范围:-65°C to +175°C
封装类型:D2PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:150W
封装类型:D2PAK
晶体管类型:High Voltage
最大连续电流, Ic:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:0.5
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
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