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VISHAY SILICONIX - PN4392-E3 - 晶体管 JFET
晶体管 JFET
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TEXAS INSTRUMENTS - PGA205AP - 芯片 可变增益放大器 数控
放大器数目:1 输入偏移电压:125μV 最大增益:8 带宽:1MHz 放大器输出:单端 共模抑制比 (CMRR):106dB 摆率:0.07V/μs 电源电压范围:± 4.5V to ± 18V 电源电流:5.2mA 封装类型:DIP 针脚数:16 工作温度范围:-40°C to +125°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:PDIP -3dB带宽增益乘积:1MHz 变化斜率:0.7V/μs 器件标号:205 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:125°C 电源电压 最大:18V 电源电压 最小:4.5V 表面安装器件:通孔安装 输入偏移电压 最大:0.125mV 额定电源电压, +:18V ??道数:1
上海5 新加坡 0 英国 0
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MURATA - MA40B8R - 超声波接收器
传感器类型:Ultrasonic 感应范围, 最小:200mm 感应范围, 最大:6m 频率:40kHz 灵敏度:-63dB 外径:16mm 工作温度范围:-30°C to +85°C 外部长度/高度:12mm 工作温度最低:-30°C 工作温度最高:85°C 引线长度:9mm 引脚节距:10mm 感应距离 最大:6m 感应距离 最小:0.2m 材料:陶瓷 电容:2000pF 系列:PIEZOTITE
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ON SEMICONDUCTOR - MAC4DHMT4G - 三端双向可控硅开关
三端双向可控硅开关 4A 600V D-Pak
美国 0 上海 0 美国 0 新加坡1
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