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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | STMICROELECTRONICS - VNH3ASP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥 30-MPSO |
驱动芯片类型:电机驱动器
针脚数:30
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:MPSO
器件标号:3
电源电压 最大:16V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:30A
通道配置:2/2
| 上海 0 新加坡9 英国61 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNH3SP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥 30-MPSO |
驱动芯片类型:电机驱动器
针脚数:30
工作温度范围:-40°C to +150°C
??装类型:MPSO
器件标号:3
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:30A
通道配置:2/2
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223 |
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SOT-223
针???数:3
封装类型:SOT-223
电源电压 最大:45V
表面安装器件:表面安装
输出电流:2.6A
| 上海 0 新加坡60 英国1005 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):60mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:3.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡44 英国579 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.1ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:70V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):35mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡30 英国362 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNP20N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.05ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:70V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
| 上海 0 新加坡20 英国301 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.035ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:42V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
| 上海 0 新加坡 0 英国245 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.028ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:70V
电流, Id 连续:18A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
| 上海 0 新加坡 0 英国644 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):13mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:15A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡10 英国351 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNQ05XSP16TR-E - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 36V PWRSO16 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:16
工作??度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSOIC
功耗, Pd:78W
器件标号:05
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:4
输出电流:5A
| 上海 0 新加坡10 英国1186 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNQ5160K-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 POWERSSO24 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:24
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSSO
器件标号:5160
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:4
输出电流:5A
| 上海 0 新加坡17 英国94 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - VNQ660SP-E - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 POWERSO10 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:10
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSOIC
功耗, Pd:114W
器件标号:660
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:6V
表面安装器件:表面安装
输出数:4
输出电流:6A
| 上海 0 新加坡 0 英国39 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SM22-01 | 原装现货Mc Guirk Electronics Co Inc | 现货 | 封装:Datasheet 批号:07+ | 特价出售 | | 删除 |
 | LINEAR TECHNOLOGY - LT6411IUD#PBF - 芯片 差分ADC驱动器/双可变增益放大器 |
放大器数目:2
输入偏移电压:10mV
最大增益:2
带宽:650MHz
摆率:3300V/μs
电源电流:8mA
封装类型:QFN
针脚数:16
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:QFN
变化斜率:3300V/μs
器件标号:6411
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:增益
电源电压 最大:12.6V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:20mV
额定电源电压, +:12.6V
| 上海 0 新加坡 0 英国91 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
