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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | 8102801UC | 原装现货AVAGO | 现货 | 封装: 批号:08+ | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - TS556CD - 芯片 CMOS定时器 双路 低功率 |
工作模式:非稳态 / 单稳态
计时器数:2
时钟, 外部输入:否
针脚数:14
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:SOIC
器件标号:556
最高工作频率:2.7MHz
电源电压 最大:16V
电源电压 最小:2V
表面安装器件:表面安装
| 上海 0 新加坡 0 英国151 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):150mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:1.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:EMH8
针脚数:8
封装类型:EMH8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:12V
电流, Id 连续:1A
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96 |
晶体管极性:Dual N Channel
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:45V
开态电阻, Rds(on):34mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:6A
| 上海 0 新加坡 0 英国87 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - FW342-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 30V SOT96 |
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):33mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:6A
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96 |
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:45V
开态电阻, Rds(on):37mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:5A
| 上海 0 新加坡 0 英国60 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96 |
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:35V
开态电阻, Rds(on):33mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:35V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:6A
| 上海 0 新加坡 0 英国98 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):40mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:6A
| 上海 0 新加坡 0 英国424 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96 |
晶体管极性:Dual N Channel
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):22mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:8A
| 上海 0 新加坡 0 英国96 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-3A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):83mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:3
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
| 上海 0 新加坡 0 英国29 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):52mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:3
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-4.5A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):49mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:4.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
| 上海 0 新加坡 0 英国69 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:0.2A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):10400mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.05A
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):500mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.5A
| 上海 0 新加坡 0 英国90 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:0.4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):1900mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.2A
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | TESTO - 511 - 气压计 绝对值 |
压力量程:300hPa to 1200hPa
Resolution (in H2O):0.01
响应时间:0.5s
工作温度范围:0°C to +50°C
| 上海 0 新加坡 0 英国4 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
