| SEMIKRON - SK35GD126ET - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:40A
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 3
外宽:55mm
外部深度:31mm
封装类型:SEMITOP 3
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP3
上升时间:30ns
功率, Pd:1050W
安装孔中心距:52.5mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:40A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:80A
集电极电流, Ic 平均值:40A
集电极连续电流, Ic 最大值:32A
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