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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | IXYS RF - IXZR08N120A - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1200V
电流, Id 连续:8A
最大功耗:3W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:5ns
封装类型:ISOPLUS-247
开态电阻, Rds(on):2.1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:1200V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| IXYS RF - IXZ215N12L - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:125V
电流, Id 连续:15A
最大功耗:6W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275
晶体管极性:N
上升时间:4ns
封装类型:DE-275
开态电阻, Rds(on):0.3ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:125V
电容值, Ciss 典型值:425pF
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| IXYS RF - IXFT12N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:12A
最大功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-268
晶体管极性:N
表面安装器件:表面安装
上升时间:12ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-268
开态电阻, Rds(on):1.05ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:2700pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
