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MB40768PF-G-BND   原装 现货   特价出售 删除
IXYS RF - IXFT28N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:500V 电流, Id 连续:28A 最大功耗:315W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-268 晶体管极性:N 表面安装器件:表面安装 上升时间:13ns 功率, Pd:315W 封装类型:TO-268 开态电阻, Rds(on):0.19ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:3000pF 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 上海 0 新加坡 0 英国24 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXFH12N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:500V 电流, Id 连续:12A 最大功耗:180W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-247AD 晶体管极性:N 表面安装器件:通孔安装 上升时间:14ns 功率, Pd:180W 封装类型:TO-247AD 开态电阻, Rds(on):0.4ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:1870pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5V 无库存 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXZR16N60B - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:600V 电流, Id 连续:18A 最大功耗:3W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:ISOPLUS-247 晶体管极性:N 表面安装器件:通孔安装 上升时间:4ns 封装类型:ISOPLUS-247 开态电阻, Rds(on):0.44ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V 电压, Vds 典型值:600V 电容值, Ciss 典型值:1930pF 阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V 无库存 1 特价出售 删除
IXYS RF - DE150-501N04A - 场效应管 MOSFET N RF DE150   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:500V 电流, Id 连续:4.5A 最大功耗:200W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:150 晶体管极性:N 上升时间:4ns 功率, Pd:200W 封装类型:150 开态电阻, Rds(on):1.5ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:700pF 阈值电压, Vgs th 典型值:3V 上海2 新加坡 0 英国29 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXFK21N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:1000V 电流, Id 连续:21A 最大功耗:500W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-264 晶体管极性:N 表面安装器件:通孔安装 上升时间:16ns 功率, Pd:500W 封装类型:TO-264 开态电阻, Rds(on):0.5ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:1000V 电容值, Ciss 典型值:5500pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5V 上海 0 新加坡 0 英国5 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXFH6N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:1000V 电流, Id 连续:6A 最大功耗:180W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-247AD 晶体管极性:N 表面安装器件:通孔安装 上升时间:14ns 功率, Pd:180W 封装类型:TO-247AD 开态电阻, Rds(on):1.9ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:1000V 电容值, Ciss 典型值:1870pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5V 无库存 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXFN55N50F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:500V 电流, Id 连续:55A 最大功耗:600W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:ISOTOP 晶体管极性:N 表面安装器件:螺丝安装 上升时间:20ns 功率, Pd:600W 封装类型:ISOTOP 开态电阻, Rds(on):0.085ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:6700pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 无库存 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXZH08N120 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:1200V 电流, Id 连续:8A 最大功耗:300W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:TO-247AD 封装类型, 替代:SOT-249 晶体管极性:N 表面安装器件:通孔安装 上升时间:4ns 功率, Pd:300W 封装类型:TO-247AD 开态电阻, Rds(on):2.1ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V 电压, Vds 典型值:1200V 电容值, Ciss 典型值:1960pF 电流, Idm 脉冲:40A 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V 无库存 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXFH21N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:500V 电流, Id 连续:21A 最大功耗:300W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-247AD 晶体管极性:N 表面安装器件:通孔安装 上升时间:12ns 功率, Pd:300W 封装类型:TO-247AD 开态电阻, Rds(on):0.25ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:2600pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 上海 0 新加坡 0 英国144 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXFK24N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:1000V 电流, Id 连续:24A 最大功耗:560W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-264 晶体管极性:N 表面安装器件:通孔安装 上升时间:18ns 功率, Pd:560W 封装类型:TO-264 开态电阻, Rds(on):0.39ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:1000V 电容值, Ciss 典型值:6600pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 上海 0 新加坡 0 英国34 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXFK44N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:500V 电流, Id 连续:44A 最大功耗:500W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-264 晶体管极性:N 表面安装器件:通孔安装 上升时间:18ns 功率, Pd:500W 封装类型:TO-264 开态电阻, Rds(on):0.12ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:5500pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5V 上海 0 新加坡 0 英国39 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXZ2210N50L - 场效应管 MOSFET N RF 754   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:500V 电流, Id 连续:10A 最大功耗:470W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:DE275X2 晶体管极性:N 最小增益带宽 ft:175MHz 上升时间:16ns 功率, Pd:360W 封装类型:DE-275X2 开态电阻, Rds(on):1ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:383pF 电流, Idm 脉冲:60A 阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V 无库存 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXZ210N50L - 场效应管 MOSFET N RF DE275   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:500V 电流, Id 连续:10A 最大功耗:470W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:DE-275 晶体管极性:N 上升时间:4ns 功率, Pd:470W 封装类型:DE-275 开态电阻, Rds(on):1ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:622pF 电流, Idm 脉冲:60A 阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V 上海 0 新加坡 0 英国32 1 特价出售 删除
IXYS RF - DE275X2-102N06A - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:1000V 电流, Id 连续:16A 最大功耗:1.18kW 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:DE-275X2 晶体管极性:N 上升时间:2ns 功率, Pd:1180W 封装类型:DE-275X2 开态电阻, Rds(on):0.8ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V 电压, Vds 典型值:1000V 电容值, Ciss 典型值:1800pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 上海 0 新加坡3 英国13 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXZ308N120 - 场效应管 MOSFET N RF DE375   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:1200V 电流, Id 连续:8A 最大功耗:880W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:DE-375 晶体管极性:N 上升时间:5ns 功率, Pd:880W 封装类型:DE-375 开态电阻, Rds(on):2.1ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V 电压, Vds 典型值:1200V 电容值, Ciss 典型值:1960pF 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V 无库存 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXFN24N100F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:1000V 电流, Id 连续:24A 最大功耗:600W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:ISOTOP 晶体管极性:N 表面安装器件:螺丝安装 上升时间:18ns 功率, Pd:600W 封装类型:ISOTOP 开态电阻, Rds(on):0.39ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:1000V 电容值, Ciss 典型值:6600pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 上海 0 新加坡1 英国19 1 特价出售 删除
IXYS RF - DE275-201N25A - 场效应管 MOSFET N RF DE275   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:200V 电流, Id 连续:25A 最大功耗:590W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:DE-275 晶体管极性:N 上升时间:5ns 功率, Pd:590W 封装类型:DE-275 开态电阻, Rds(on):0.08ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V 电压, Vds 典型值:200V 电容值, Ciss 典型值:2500pF 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 无库存 1 特价出售 删除
IXYS RF - IXZH16N60 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:600V 电流, Id 连续:18A 封装类型:TO-247AD 封装类型, 替代:SOT-249 晶体管极性:N Channel 表面安装器件:通孔安装 上升时间:4ns 功率, Pd:300W 封装类型:TO-247AD 开态电阻, Rds(on):0.44ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V 电压, Vds 典型值:600V 电容值, Ciss 典型值:1930pF 电流, Idm 脉冲:90A 阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V 上海 0 新加坡 0 英国10 1 特价出售 删除