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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | MB40768PF-G-BND | 原装 | 现货 | | 特价出售 | | 删除 |
| IXYS RF - IXFT28N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:28A
最大功耗:315W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-268
晶体管极性:N
表面安装器件:表面安装
上升时间:13ns
功率, Pd:315W
封装类型:TO-268
开态电阻, Rds(on):0.19ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:3000pF
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
| 上海 0 新加坡 0 英国24 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| IXYS RF - IXFH12N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:12A
最大功耗:180W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:14ns
功率, Pd:180W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:1870pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| IXYS RF - IXZR16N60B - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:600V
电流, Id 连续:18A
最大功耗:3W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:4ns
封装类型:ISOPLUS-247
开态电阻, Rds(on):0.44ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:1930pF
阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| IXYS RF - DE150-501N04A - 场效应管 MOSFET N RF DE150 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:4.5A
最大功耗:200W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:150
晶体管极性:N
上升时间:4ns
功率, Pd:200W
封装类型:150
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:700pF
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
| 上海2 新加坡 0 英国29 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| IXYS RF - IXFK21N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:21A
最大功耗:500W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-264
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:16ns
功率, Pd:500W
封装类型:TO-264
开态电阻, Rds(on):0.5ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:5500pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
| 上海 0 新加坡 0 英国5 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| IXYS RF - IXFH6N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:6A
最大功耗:180W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:14ns
功率, Pd:180W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):1.9ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:1870pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| IXYS RF - IXFN55N50F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:55A
最大功耗:600W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOTOP
晶体管极性:N
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:20ns
功率, Pd:600W
封装类型:ISOTOP
开态电阻, Rds(on):0.085ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:6700pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
