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型号 |
产品描述 |
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操作 |
 | MURATA - TZ03Z500F169B00 - 可变电容 6-50pF |
调节类型:Top
电容范围:6pF 至 50pF
电容容差 ±:+100%, -0%
额定电压:50V DC
系列:TZ03
电容介质类型:Multilayer Ceramic
封装类型:Radial
安装类型:Snap-In
引脚节距:6.6mm
工作温度范围:-55°C to +125°C
封装类型:Radial
电容:50pF
表面安装器件:摁入式
| 上海25 新加坡1937 英国3328 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | VISHAY SEMICONDUCTOR - BZX55C18-TAP - 齐纳二极管 VZ:18V |
齐纳二极管 VZ:18V
| 美国 0 上海 0 美国6983 新加坡 0 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBTH81 - 射频双极晶体管 |
射频双极晶体???
双PNP
0.225W
3-SOT-23
| 美国 0 上海65 美国 0 新加坡 0 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | FENGHUA - FNR-07K180 - 压敏电阻 0.9J 11VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:0.9J
额定电压, 直流:14V
额定电压, 交流:11V
主体直径:9mm
变阻器电压, 于1mA:18V
外??深度:6mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:+85°C
引线直径:0.6mm
引线长度:30mm
引脚节距:5mm
电容:3500pF
电流, 峰值 8/20us 最大:250A
钳位电压, 8/20us 最大:36V
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| IXYS RF - IXZ2211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:11A
封装类型:DE-275X2
晶体管极性:N Channel
上升时间:4ns
功率, Pd:1180W
封装类型:DE-275X2
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:790pF
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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