| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | SANYO - FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96 |
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:35V
开态电阻, Rds(on):33mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:35V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:6A
| 上海 0 新加坡 0 英国98 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):40mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:6A
| 上海 0 新加坡 0 英国424 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:0.2A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):10400mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.05A
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):500mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.5A
| 上海 0 新加坡 0 英国90 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:0.4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):1900mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.2A
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - SCH1301-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 2.4A SCH6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.4A
电压, Vds 最大:-12V
开态电阻, Rds(on):120mohm
电??? @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:8V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SCH6
针脚数:6
封装类型:SCH6
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:2.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):81mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:VEC8
针脚数:8
封装类型:VEC8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:2A
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SANYO - VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8 |
晶体管极性:Dual P Channel
???极电流, Id 最大值:2.5A
电压, Vds 最大:12V
开态电阻, Rds(on):115mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:VEC8
针脚数:8
封装类型:VEC8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:18V
电压, Vgs 最高:8V
电流, Id 连续:1.5A
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | AREXX - YT-DSP2 - 行走机器人附件 显示扩展板 |
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MULTIMETRIX - P06231411 - 数字万用表 220型 6K点 +温度测量 |
表型:手持
电压量程, DC:0.1mV to 1000V
电压量程, AC:0.001V to 1000V
位数:6000
反应类型:平均值
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
