 | STMICROELECTRONICS - VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.1ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:70V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1N60CP - 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):8ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:50W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:50W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
应用代码:GPSW
时间, trr 典型值:21ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:1A
电流, Idm 脉冲:9A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:8ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
