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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA10N80P - 场效应管 MOSFET N TO-263   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:10A 电压, Vds 最大:800V 开态电阻, Rds(on):1.1ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:300W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:D2-PAK 针脚数:3 N沟道栅极电荷 Qg:40nC 功率, Pd:300W 封装类型:D2-PAK 晶体管类型:MOSFET 热阻, 结至外壳 A:0.42°C/W 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:800V 电容值, Ciss 典型值:2300pF 电流, Id 连续:10A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 时间, trr 最大:250ns 上海 0 新加坡 0 英国56 1 特价出售 删除
OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION - E3Z-R66 - 光电开关 反射型 M8 NPN 4M   ???源电压 直流 最大:24V DC IP密封等级:IP 67 传感器类型:Retroreflective (with MSR) 响应时间:1ms 外宽:10.4mm 外部深度:20mm 外部长度/高度:31mm 工作温度最低:-25°C 工作温度最高:55°C 感应距离 最大:4m 批准机构:CE 批准类型:UL Recognised 材料:PBT 电流消耗:30mA 电源电压 直流 最小:12V DC 螺纹尺寸:M8 输出:NPN 输出电压:26.4 V dc 输出电流:100mA 输出电流 最大:100mA 输出类型:Connector 连接器类型:M8 Connector 无库存 1 特价出售 删除