 | SEMIKRON - SKM300GAL128D - 晶体管 IGBT模块 斩波 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:1.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITRANS 3
外宽:105mm
外部深度:61.4mm
封装类型:SEMITRANS 3
晶体管数:1
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITRANS 3
上升时间:55ns
安装孔中心距:93mm
安装孔直径:5.4mm
最大连续电流, Ic:370A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:260A
集电极电流, Ic 平均值:370A
集电极连续电流, Ic 最大值:265A
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