| SANYO - 2SK3706 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 12A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:12A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):130mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:20W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220ML
针脚数:3
封装类型:TO-220ML
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:12A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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| FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G50US120 - 晶体管 IGBT模块 50A 1200V |
晶体管极性:NPN
饱和电压, Vce sat 最大:3V
电压, Vceo:1200V
封装类型:7PM-GA
外部深度:93mm
封装类型:7PM-GA
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
针脚配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1
上升时间:80ns
功率, Pd:320W
安装孔中心距:80mm
安装孔直径:5.4mm
最大连续电流, Ic:50A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:100A
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