 | FUJI ELECTRIC - 2SK3772-01 - 场效应管 MOSFET N TO-220AB |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:32A
电压, Vds 最大:300V
开态电阻, Rds(on):0.13ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:270W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:270W
单脉冲雪崩能量 Eas:597.4mJ
封装类型:TO-220AB
引脚节距:5.45mm
总功率, Ptot:270W
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:300V
电流, Id 连续:32A
电流, Idm 脉冲:128A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
重复雪崩电流, Iar:32A
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
| 上海 0 新加坡 0 英国214 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SEMELAB - BUZ905P - 场效应管 MOSFET P TO-247 |
晶体管极性:P 通道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:14V
功耗:125W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:125W
器件标记:BUZ905P
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
时间, t off:60ns
时间, t on:120ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vds 典型值:-160V
电容值, Ciss 典型值:734pF
电流, Id 连续:8A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:G(1), S(2), D(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
飞轮二极管:Id(peak) = 8 A
| 上海 0 新加坡 0 英国138 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
