| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | LM321H-MIL | 原装现货NS | 现货 | 封装: 批号: | 特价出售 | | 删除 |
| 1N821AT&R* | 原装现货 | 现货 | 封装: 批号:最新批号 | 特价出售 | | 删除 |
| M66212P/FP | 原装现货Mitsubishi Semiconductors | 现货 | 封装:Datasheet 批号:07+ | 特价出售 | | 删除 |
 | SEMELAB - BUZ901P - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N 通道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:14V
功耗:125W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:125W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
时间, t off:50ns
时间, t on:100ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vds 典型值:200V
电容值, Ciss 典型值:500pF
电流, Id 连续:8A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:G(1), S(2), D(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
飞轮二极管:Id(peak) = 8 A
| 上海 0 新加坡 0 英国136 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SEMELAB - BUZ900P - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N 通道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:14V
功耗:125W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:125W
器件标记:BUZ900P
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
时间, t off:50ns
时间, t on:100ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vds 典型值:160V
电容值, Ciss 典型值:500pF
电流, Id 连续:8A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:G(1), S(2), D(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
??轮二极管:Id(peak) = 8 A
| 上海 0 新加坡 0 英国278 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | SEMELAB - BUZ901D - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压, Vgs 最高:1.5V
功耗:250W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:250W
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
| 上海 0 新加坡 0 英国27 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
