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图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量 操作
500R15N681GV4T   原装现货JOHANSON 现货 封装: 批号:09+10+ 特价出售 删除
M52055FPA   原装现货NA 现货 封装: 批号:08/09+ 特价出售 删除
AM29BDS643GT7MVAI   原装现货AMD 现货 封装:BGA 批号:n/a 特价出售 删除
XP POWER - DLA150PS5950-A - 稳压电源 LED驱动器 恒流 5.95A 150W   电源输出类型:固定输出 输出电流:5.95A 额定功率:150W 输入电压范围:90V AC to 305V AC 长度:67.5mm 宽度:226mm 高度:46mm SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 外宽:226mm 外部深度:67.5mm 外部长度/高度:46mm 安装类型:Screw 效率:90% 输入电压 最大:305V 输入电压 最小:90V 输出电压 最大:25V 输出电压 最小:15V 上海 0 新加坡1 英国2 1 特价出售 删除
VISHAY SILICONIX - SI4565ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8   模块配置:NP 晶体管极性:NP 漏极电流, Id 最大值:6.6A 电压, Vds 最大:40V 开态电阻, Rds(on):0.04ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:2.2V 功耗:3.1W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SO 封装类型:SO-8 晶体管类型:MOSFET 结温, Tj 最低:150°C 表面安装器件:表面安装 功耗, N沟道 1:1.1W 功耗, P沟道 1:1.1W 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V 最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V 最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V 漏极连续电流, Id N沟道:5.2A 漏极连续电流, Id P沟道:4.5A 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:40V 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm 上海 0 新加坡 0 英国314 1 特价出售 删除
MC74LVX14DTR2G   原装现货ON 现货 封装:N/A 批号:新 特价出售 删除
HITACHI - HD64180R1P6 - 芯片 8位 微控制器 6MHZ   封装形式:DIP 针脚数:64 工作温度范???:0°C to +70°C 封装类型:DIP 工作温度最低:0°C 工作温度最高:70°C RAM存储容量:512Byte 位数:8 器件标号:64180 存储器类型: 时钟频率:6MHz 温度范围:商用 芯片标号:64180 逻辑功能号:64180 无库存 1 特价出售 删除