| IXYS RF - DE475-102N21A - 场效应管 MOSFET N RF DE475 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:24A
电压, Vds 最大:1000V
开态电阻, Rds(on):0.41ohm
功耗:1.8kW
封装类型:DE-475
针脚数:6
上升时间:5ns
功率, Pd:1800W
封装类型:DE-475
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:5500pF
电流, Id 连续:24A
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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