 | SANYO - ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8 |
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):93mohm
电压 @ Rds???量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECH8
针脚数:8
封装类型:ECH8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:1.5A
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