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TOSHIBA - SSM6K06FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 1.1A 20V SOT23   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:1.1A 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):0.16ohm 电压 @ Rds测量:4V 电压, Vgs 最高:12V 功耗:300mW 封装类型:US6 封装类型:US6 晶体管类型:Small Signal MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:1.1A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V 上海 0 新加坡 0 英国2903 1 特价出售 删除