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型号 |
产品描述 |
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操作 |
 | BATRON - BTHQ240064AVB-COG-FERE - 液晶显示屏模块 图形 240X64 |
液晶显示类型:FSTN
像素大小 (H x W):0.39mm x 0.39mm
像素间距(H x W):0.41mm x 0.41mm
显示模式:反射
显示接口类型:串行口
可视面积 (H x W):102.4mm x 30.22mm
电源电压:5V
外宽:108mm
外部深度:2.78mm
外部长度/高度:193.2mm
工作温度最高:70°C
工作温度范围:-20°C to +70°C
偏光类型:可反射
分辨率: 240 x 64 点
字体颜色:黑色
字符类型:点矩阵
接口类型:串行
显示区宽度:108mm
显示区高度:30.22mm
显示技术:LCD
电源电压 最大:6V
电源电压 直流:5V
背景颜色:白
颜色种类:1
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | CD4013BCN_NL | 原装现货 | 现货 | 封装: 批号:08/09+ | 特价出售 | | 删除 |
| BOURNS - EM14C0D-E28-L064S - 光学编码器 |
光学编码器
2位正交输出
| 美国 0 上海 0 美国40 新加坡 0 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| PS2602L-M-E4-A | 原装现货NEC | 现货 | 封装:SMD-6/1000片/盘 批号:08+ | 特价出售 | | 删除 |
 | TOSHIBA - TK60A08J1(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 60A 75V TO220 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:60A
电压, Vds 最大:75V
开态电阻, Rds(on):0.0078ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:45W
封装类型:TO-220SIS
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:75V
电流, Id 连续:60A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
| 上海 0 新加坡 0 英国560 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | TOSHIBA - SSM3K09FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.4A 30V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:400mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.7ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:150mW
封装类型:SC-70
封装类型:USM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
| 上海 0 新加坡200 英???1636 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
