| TOSHIBA - TPC6006-H(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 3.9A 40V TSOP6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:3.9A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.075ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:2.2W
封装类型:2-3T1A
封装类型:VS-6
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:3.9A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
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