 | ROHM - DTA114EETL - 晶体管 数字式 PNP |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:30
封装类型:EMT3
功耗:150mW
封装类型:EMT3
应用代码:TL
总功率, Ptot:150mW
晶体管类型:Digital Bipolar
最大连续电流, Ic:100mA
电流, Ic 最大:100mA
表面安装器件:表面安装
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 | TOSHIBA - TPC6003(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 30V SOT23-6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.024ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:2.2W
封装类型:2-3T1A
封装类型:VS-6
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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