 | STMICROELECTRONICS - M27C1001-45F1 - 芯片 EPROM CMOS 1MB |
存储器类型:EPROM, UV
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
访问时间:45ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:32
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
器件标号:27
存储器容量:1 兆位
存储器电压 Vcc:5V
容差, Vcc +:10%
容差, Vcc -:10%
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
接口类型:Parallel
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
编程电压:12.75V
芯片标号:27C1001
表面安装器件:通孔安装
逻辑功能号:27C1001
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 | SANYO - EMH2412-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EMH8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:24V
开态电阻, Rds(on):25mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.4W
封装类型:EMH8
封装类型:EMH8
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:24V
电流, Id 连续:6A
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