![](icimg/103/102063.jpg) | SANYO - ECH8664R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 7A ECH8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:7A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):23.5mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.4W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECH8
封装类型:ECH8
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:7A
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