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SANYO - 2SK4126 - 场效应管 MOSFET N沟道 650V 15A TO247   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:15A 电压, Vds 最大:650V 开态电阻, Rds(on):0.72ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:2.5W 封装类型:TO-3PB 封装类型:TO-3PB 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:650V 电流, Id 连续:15A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:5V 上海 0 新加坡 0 英国33 1 特价出售 删除