 | SANYO - 3LP02C-TB-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-200mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):3.1ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:0.25W
封装类型:SOT-89
封装类型:CP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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