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ADG451BNZ   原装现货ADI 现货 封装:DIP 批号:15+ 特价出售 删除
SANYO - 3LN02C-TB-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:300mA 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):1.2ohm 电压 @ Rds测量:4V 电压, Vgs 最高:10V 功耗:0.25W 封装类型:SOT-89 封装类型:CP 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:0.3A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V 上海 0 新加坡 0 英国65 1 特价出售 删除