| SANYO - FSS218-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 35V 8A SOT96 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:35V
开态电阻, Rds(on):0.026ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.8W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:35V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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