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SANYO - 2SK3490-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 8A SOT89   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:8A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.039ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:3.5W 封装类型:PCP 封装类型:PCP 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:8A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V 上海 0 新加坡 0 英国277 1 特价出售 删除