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TOSHIBA - GT25Q102 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(LH)   晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:25A 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V 最大功耗:200W 电压, Vceo:1200V 工作温度范???:-55°C to +150°C 封装类型:TO-3P (LH) 上升时间:100ns 下降时间典型值:160ns 功率, Pd:200W 功耗:200W 封装类型:TO-3P (LH) 晶体管极性:N Channel 最大连续电流, Ic:25A 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:50A 表面安装器件:通孔安装 上海 0 新加坡108 英国38 1 特价出售 删除
EM91865B   原装现货ELAN Microelectronics 现货 封装:Datasheet 批号:06/07+ 特价出售 删除
2745W2   原装现货 现货 封装: 批号:最新批号 特价出售 删除
ON SEMICONDUCTOR - MC33340PG - 芯片 电池管理器   电池类型:镍镉/镍氢 输入电压:18V 电池充电电压:20V 封装类型:DIP 针脚数:8 工???温度范围:-25°C to +85°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:8-DIP 电池管理功能:充电器, 保护器 电源电压 最大:18V 电源电压 最小:3.25V 表面安装器件:通孔安装 输入电压 最大:18V 上海 0 新加坡100 英国 0 1 特价出售 删除