![](icimg/86/85600.jpg) | VISHAY SILICONIX - SI1024X-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 6-SC-89 |
晶体管极性:Dual N Channel
漏极电流, Id 最大值:600mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):1.25ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:900mV
功耗:250mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-89
针脚数:6
封装类型:SC-89
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.6μA
表面安装器件:表面安装
| 上海200 美国 0 新加坡20 英国10 | 1 | 特价出售 | | 删除 |