 | TOSHIBA - GT15Q102 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:170W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:50ns
功率, Pd:170W
功耗:170W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:15A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:30A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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