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TOSHIBA - SSM6P05FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 0.2A 20V SOT23   模块配置:Dual P Channel 晶体管极性:PP 漏极电流, Id 最大值:-200mA 电压, Vds 最大:-20V 开态电阻, Rds(on):3.3ohm 电压 @ Rds测量:-4V 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V 功耗:300mW 封装类型:US6 封装类型:US6 晶体管类型:Small Signal MOSFET 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:0.2A 上海 0 新加坡 0 英国2685 1 特价出售 删除
TEXAS INSTRUMENTS - CD4009UBE.. - 缓冲器/转换器   缓冲器/转换器 16-DIP 6通道 美国 0 上海145 美国1843 新加坡648 1 特价出售 删除
TEXAS INSTRUMENTS - TS3A4742DCNR - 芯片 模拟开关 SPST   芯片 模拟开关 SPST 美国 0 上海20 美国906 新加坡 0 英国 0 1 特价出售 删除