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STMICROELECTRONICS - VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
晶体管极性:N Channel 开态电阻, Rds(on):60mohm 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:DPAK 封装类型:DPAK 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V 电压, Vds 典型值:45V 电流, Id 连续:3.5A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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LITTELFUSE - V48MLA1210H - 金属氧化物压敏电阻(MOV)
金属氧化物压敏电阻(MOV)
美国 0 上海 0 美国1340 新加坡 0
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - MAX354EWE+ - 芯片 多路复用器(MUX) NPN 8通道 350Ω
电源电流:300μA 通态电阻:285ohm 电源电压范围:± 4.5V to ± 18V 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:SOIC 针脚数:16 封装类型:WSOIC 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:85°C 器件标号:354 电源电压 最大:36V 电源电压 最小:4.5V 表面安装器件:表面安装 多路复用器数:1 开态电阻, Rds(on):350ohm 接口类型:TTL/CMOS-Logic Compatible 模拟复接器类型:8:1 Bidirectional 电源电压:双 通道数:8
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