 | DIODES INC. - DJT4030P-13 - 晶体管 PNP SOT223 1.2W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:150mV
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 | NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMH2100TM - 芯片 射频功率探测器 对数型 4GHz 40dB |
频率范围:50MHz to 4GHz
射频类型:CDMA, GPRS, GSM, UMTS, WCDMA, WLAN
功率范围:-45dBm to -5dBm
电源电流:7.1mA
电源电压范围:2.7V to 3.3V
封装类型:Bump
针脚数:6
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:Micro Bump
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:2100
电源电压 最大:3.3V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
封装形式:Micro Bump
输入电压 最大:3.3V
输入电流:7.1mA
输出电压 最大:2V
输出电流 最大:7.3A
频率:4GHz
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