 | SANYO - 2SK4066-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A SOT404 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):4.7mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:90W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-404
针脚数:3
封装类型:SOT-404
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:100A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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 | VISHAY ROEDERSTEIN - F17724102030 - 电容 X2类 0.1UF |
电容介质类型:聚酯
电容:100nF
电容容差 ±:± 10%
额定电压:630V DC
系列:F1772
封装类型:Radial
针脚数:2
安装类型:Through Hole
引脚节距:15mm
工作温度范围:-40°C to +100°C
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:110°C
外宽:18mm
外部深度:8.5mm
外部长度/高度:14.5mm
容差, +:10%
容差, -:10%
封装类型:Radial
应用:抑制
引线长度:30mm
端子类型:Radial Leaded
表面安装器件:径向引线
额定电压, 交流:310V
额定电压, 直流:630V
批准类型:IEC384-14
抑制类型:X2
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