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TOSHIBA - 2SK2613(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 8A 1000V TO3P   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:8A 电压, Vds 最大:1kV 开态电阻, Rds(on):1.7ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:150W 封装类型:TO-3P 封装类型:TO-3P 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:1000V 电流, Id 连续:8A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 上海 0 新加坡100 英国289 1 特价出售 删除
CROPICO - 930165 - 十进制电阻箱 OO6-A   外宽:350mm 外部深度:80mm 重量:0.6kg 外部长度/高度:100mm 系列:006-A 上海 0 新加坡 0 英国2 1 特价出售 删除