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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1646-120+ - 芯片 非易失性存储器 1MB 带实时时钟 EDIP32 |
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
接口:Parallel
访问时间:120ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:EDIP
针脚数:32
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:EDIP
存储器容量:1Mbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡3
英国5 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1312S-2+ - 芯片 非易失性控制器 带锂电池监控器 |
接口:Parallel
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
器件标号:1312
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:Controller
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48Z35AV-10PC1 - 芯片 非易失性存储器 ZEROPOWER? 256K |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
非???失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:100ns
电源电压范围:3V to 3.6V
封装类型:PCDIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:PCDIP
器件标号:48
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:3.3V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国5 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48T58-70PC1 - 芯片 非易失性存储器 TIMEKEEPER? 5V 64K |
存储器容量:64Kbit
存储器配置:8K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
接口:Parallel
访问时间:70ns
电源电压范围:4.75V to 5.5V
封装类型:PCDIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:PCDIP
器件标号:48
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.75V
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48Z128Y-70PM1 - 芯片 非易失性存储器 ZEROPOWER? 1M PMDIP32 |
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:70ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V, 4.75V to 5.5V
封装类型:PMDIP
针脚数:32
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:PMDIP
器件标号:48
存储器容量:1Mbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国45 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48T35AV-10PC1 - 芯片 非易失性存储器 TIMEKEEPER? 3V 256K |
存储器配置:32K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
访问时间:100ns
封装类型:PCDIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:PCDIP
器件标号:48
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:3.3V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48Z35-70PC1 - 芯片 SRAM 非易失性 256K |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
访问时间:70ns
封装类型:PCDIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:PCDIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.75V
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
美国 0
新加坡11
英国 0 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48T37V-10MH1E - 芯片 SRAM 实时时钟 非易失性 256K SMD |
存储器配置:32K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟
访问时间:100ns
封装类型:SOIC
针脚数:44
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:SOIC
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:3.3V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
表面安装器件:表面安装
频率:32768Hz
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48T35AV-10MH1E - 芯片 SRAM 实时时钟 非易失性 256K SMD |
存储器配置:32K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟
访问时间:100ns
封装类型:SOIC
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:SOIC
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:3.3V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
表面安装器件:表面安装
频率:32768Hz
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48T35-70PC1 - 芯片 SRAM 实时时钟 非易失性 256K |
存储器配置:32K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
访问时间:70ns
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.75V
表面安装器件:通孔安装
频率:32768Hz
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上海5
美国 0
新加坡2
英国 0 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48T18-150PC1 - 芯片 SRAM 实时时钟 非易失性 64K |
存储器配置:8K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
访问时间:150ns
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:通孔安装
频率:32768Hz
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上海 0
美国 0
新加坡36
英国45 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - M48T08-150PC1 - 芯片 SRAM 实时时钟 非易失性 64K |
存储器配置:8K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
访问时间:150ns
封装类型:PCDIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:PCDIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:48
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.75V
表面安装器件:通孔安装
频率:32768Hz
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国113 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS3065W-100# - 芯片 NV芯片 SRAM 3.3V SMD |
存储器配置:1M x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
访问时间:100ns
封装类型:BGA
针脚数:256
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:BGA
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:3065
存储器容量:8Mbit
存储器电压 Vcc:3.3V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:3065
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1243Y-120+ - 芯片 NV芯片 SRAM 64K SMD 1243 DIP28 |
存储器容量:64Kbit
存储器配置:8K x 8bit
非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振
接口:Parallel
访问时间:120ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:DIP
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
器件标号:1243
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
温度范围:商用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1243
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡13
英国24 |
1 |
1 |
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1230Y-120+ - 芯片 NVSRAM 256K 1230 DIP28 |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
非易失性存储器特点:内部电池
接口:Parallel
访问时间:120ns
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:DIP
针脚数:28
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:1230
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:5V
存储器类型:NVRAM
接口类型:Parallel
温度范围:工业用
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:1230
表面安装器件:通孔安装
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上海5
新加坡31
英国44 |
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