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IC产品 双极性晶体管 - 射频 - 北京首天伟业科技有限公司

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 4000MHz
  • 550MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 7000MHz
  • 3500MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 1800MHz
  • 11000MHz

最大连续电流, Ic

  • 0.2A
  • 6.5mA
  • 0.5A
  • 50mA
  • 0.065A
  • 0.025A
  • 300mA
  • 0.03A
  • 150mA
  • 0.08A
  • 0.05A
  • 35mA
  • 0.035A
  • 0.01A
  • 0.02A
  • 500mA
  • 25mA

总功率, Ptot

  • 4500mW
  • 2W
  • 1000mW
  • 0.5W
  • 210mW
  • 185mW
  • 55mW
  • 175mW
  • 400mW
  • 2000mW
  • 300mW
  • 160mW
  • 280mW
  • 580mW
  • 2700mW
  • 250W
  • 500mW
  • 200mW
  • 0.3W
  • 0.03W
  • 60mW
  • 380mW
  • 450mW
  • 250mW

直流电流增益 hFE

  • 110
  • 150
  • 180
  • 50
  • 38
  • 100
  • 300
  • 95
  • 90
  • 120
  • 200
  • 70
  • 40
  • 25

直流电流增益 hfe, 典型值

  • 50
  • 120

直流电流增益 hfe, 最小值

  • 38
  • 20
  • 25
  • 60
  • 110
  • 100
  • 40
  • 50
  • 40
  • 50
  • 25

针脚配置

  • g
  • B(1),E(2),C(3)

针脚数

  • 3
  • 4

噪声

  • 0.65dB
  • 1dB
  • 1.5dB
  • 1.15dB
  • 3.5dB
  • 1.7dB
  • 4.5dB
  • 1.1dB
  • 2.4dB
  • 0.7dB
  • 1.25dB
  • 1.4dB
  • 0.9dB
  • 1.9dB
  • 3.8dB
  • 1.2dB
  • 1.45dB
  • 2.5dB

噪声级, Fc @ Ic

  • 2dB
  • 1.15dB
  • 2.1dB
  • 2.7dB
  • 1.05dB

增益 Gms

  • 12dB
  • 20dB
  • 22dB
  • 13dB
  • 15dB

输出, 三阶交叉点 IP3

  • 12dB
  • 24.5dB
  • 25dB
  • 29dB
  • 22dB
  • 26.5dB
  • 24dB
  • 21.5dB
  • 15dB

结温, Tj 最高

  • 150°C
  • 175°C

截止频率 ft, 典型值

  • 65GHz
  • 1.8GHz
  • 1500MHz
  • 14GHz
  • 4GHz
  • 25GHz
  • 2.8GHz
  • 900MHz
  • 1.6GHz
  • 5GHz
  • 300MHz
  • 1.2GHz
  • 8GHz
  • 1.9GHz
  • 6GHz
  • 9GHz
  • 2.5GHz
  • 250MHz
  • 36GHz
  • 5.5GHz
  • 550MHz

晶体管极性

  • NPN
  • PNP

晶体管类型

  • RF
  • RF Bipolar
  • RF小信号
  • 小信号RF
  • General Purpose
  • 功率RF
  • 双极的

集电极电流, Ic 平均值

  • 80mA
  • 12mA
  • 500mA
  • 35mA
  • 50mA
  • 45mA
  • 300mA

集电极连续电流

  • 80mA
  • 1A
  • 10mA
  • 12mA
  • 6.5mA
  • 500mA
  • 150mA
  • 50mA
  • 120mA
  • 8mA
  • 25A
  • 35mA
  • -35mA
  • 45mA
  • 65mA
  • 100mA
  • 300mA
  • 20mA
  • 25mA
  • -25mA
  • 90mA

集电极直流电流

  • 120mA
  • 10mA
  • 45mA
  • 50mA
  • 100mA
  • 12mA
  • 500mA
  • 35mA
  • -35mA
  • 200mA
  • 6.5mA
  • 90mA
  • 20mA
  • 800mA
  • 65mA
  • 1A
  • -25mA
  • 25mA
  • 80mA

关联增益 Ga

  • 21dB
  • 16.5dB
  • 18dB
  • 19dB
  • 13.5dB
  • 23dB
  • 18.5dB
  • 21.5dB
  • 20.5dB
  • 12.5dB
  • 16dB
  • 24dB
  • 15.5dB
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
ON SEMICONDUCTOR - MJE371G. - 射频双极晶体管 ON SEMICONDUCTOR - MJE371G. - 射频双极晶体管
  • 射频双极晶体管
  • 双PNP
  • 40W
  • Case 77
  • 40V
    		•  无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - D45VH10G. - 射频双极晶体管 ON SEMICONDUCTOR - D45VH10G. - 射频双极晶体管
  • 射频双极晶体管
  • 双PNP
  • 83W
  • TO-220AB
  • 80V
    		•  无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - MPSW06RLRAG - 射频双极晶体管 ON SEMICONDUCTOR - MPSW06RLRAG - 射频双极晶体管
  • 射频双极晶体管
  • Packaging:Tape And Reel
    		•  无库存 1 2000 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ309LT1G. - 射频 JFET ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ309LT1G. - 射频 JFET
  • 射频 JFET
  • NPN
  • SOT-23
  • SMD
    		•  美国 0
    上海1100
    美国 0
    新加坡 0    		 1 1 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - MMUN2211LT1G - 小信号预偏晶体管 ON SEMICONDUCTOR - MMUN2211LT1G - 小信号预偏晶体管
  • 小信号预偏晶体管
  • NPN
  • Vceo:50V
    		•  无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BFQ68 - 晶体管 NPN RF SOT-122A NXP - BFQ68 - 晶体管 NPN RF SOT-122A
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:18V
  • 截止频率 ft, 典型值:4GHz
  • 封装类型:SOT-122A
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:功率RF
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:BFQ68
  • 封装类型:SOT-122A
  • 总功率, Ptot:4500mW
  • 最大连续电流, Ic:300mA
  • 电压, Vcbo:25V
  • 电流, Ic hFE:240mA
  • 电流, Ic 最大:300mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:25
    		• 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BFQ34 - 晶体管 NPN RF SOT-122A NXP - BFQ34 - 晶体管 NPN RF SOT-122A
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:18V
  • 截止频率 ft, 典型值:4GHz
  • 封装类型:SOT-122A
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:功率RF
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:FB
  • 封装类型:SOT-122A
  • 总功率, Ptot:2700mW
  • 最大连续电流, Ic:150mA
  • 电压, Vcbo:20V
  • 电流, Ic hFE:150mA
  • 电流, Ic 最大:150mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:25
    		• 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BFG16A. - 晶体管 NPN RF SOT-223 NXP - BFG16A. - 晶体管 NPN RF SOT-223
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:25V
  • 截止频率 ft, 典型值:1.6GHz
  • 封装类型:SOT-223
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:功率RF
  • 最小增益带宽 ft:1500MHz
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:BFG16A
  • 封装类型:SOT-223
  • 总功率, Ptot:1000mW
  • 最大连续电流, Ic:150mA
  • 电压, Vcbo:40V
  • 电流, Ic hFE:150mA
  • 电流, Ic 最大:150mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:25
    		• 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BFG11. - 晶体管 NPN RF SOT-143 NXP - BFG11. - 晶体管 NPN RF SOT-143
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:8V
  • 截止频率 ft, 典型值:1.9GHz
  • 封装类型:SOT-143
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:小信号RF
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:N72
  • 封装类型:SOT-143
  • 总功率, Ptot:400mW
  • 最大连续电流, Ic:500mA
  • 电压, Vcbo:20V
  • 电流, Ic hFE:100mA
  • 电流, Ic 最大:500mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:25
    		• 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BFT93 - 晶体管PNP RF SOT-23 NXP - BFT93 - 晶体管PNP RF SOT-23
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:12V
  • 截止频率 ft, 典型值:5GHz
  • 功耗, Pd:300mW
  • 集电极直流电流:-35mA
  • 直流电流增益 hFE:50
  • 工作温度范围:-65°C to +150??C
  • 关联增益 Ga:16.5dB
  • 噪声:2.4dB
  • 封装类型:SOT-23
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:小信号RF
  • 测试频率:500MHz
  • 表面安装器件:表面安装
  • 集电极连续电流:-35mA
  • SMD标号:BFT93
  • 封装类型:SOT-23
  • 总功率, Ptot:0.3W
  • 最大连续电流, Ic:35mA
  • 电压, Vcbo:-15V
  • 电流, Ic hFE:30mA
  • 电流, Ic 最大:-35mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:20
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国4520    		 1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BF199 - 晶体管NPN RF TO-92 NXP - BF199 - 晶体管NPN RF TO-92
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:25V
  • 截止频率 ft, 典型值:550MHz
  • 功耗, Pd:500mW
  • 集电极直流电流:25mA
  • 直流电流增益 hFE:38
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 针脚数:3
  • 器件标记:BF199
  • 封装类型:TO-92
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:双极的
  • 最小增益带宽 ft:550MHz
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:g
  • 封装类型:TO-92
  • 总功率, Ptot:500mW
  • 最大连续电流, Ic:0.025A
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:40V
  • 电流, Ic hFE:7mA
  • 电流, Ic 最大:25mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:38
    		• 上海 0
    新加坡55
    英国 0    		 1 5 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BFR949F - 晶体管 RF TSFP3 INFINEON - BFR949F - 晶体管 RF TSFP3
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:10V
  • 截止频率 ft, 典型值:9GHz
  • 功耗, Pd:250mW
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 针脚数:3
  • 关联增益 Ga:21dB
  • 噪声:1dB
  • 封装类型:TSFP3
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:RF小信号
  • 最小增益带宽 ft:7000MHz
  • 测试频率:1GHz
  • 表面安装器件:表面安装
  • 集电极连续电流:35mA
  • SMD标号:RKs
  • 封装类型:TSFP3
  • 总功率, Ptot:250W
  • 最大连续电流, Ic:0.035A
  • 电压, Vcbo:20V
  • 电流, Ic hFE:5mA
  • 电流, Ic 最大:35mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:100
    		• 停产 1 5 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BFR380F - 晶体管 RF TSFP3 INFINEON - BFR380F - 晶体管 RF TSFP3
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:6V
  • 截止频率 ft, 典型值:9GHz
  • 功耗, Pd:380mW
  • 集电极直流电流:80mA
  • 直流电流增益 hFE:120
  • 工??温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:TSFP3
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 关联增益 Ga:13.5dB
  • 功率, 1dB增益压缩 (P1dB):16dBm
  • 噪声:1.1dB
  • 封装类型:TSFP3
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:RF小信号
  • 最小增益带宽 ft:6000MHz
  • 测试频率:1.8GHz
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出, 三阶交叉点 IP3:29dB
  • 集电极连续电流:80mA
  • SMD标号:FCs
  • 封装类型:TSFP3
  • 总功率, Ptot:380mW
  • 最大连续电流, Ic:0.08A
  • 电压, Vcbo:15V
  • 电流, Ic hFE:40mA
  • 电流, Ic 最大:80mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:60
    		• 上海120
    新加坡35
    英国231    		 1 5 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BFR360F - 晶体管 RF TSFP3 INFINEON - BFR360F - 晶体管 RF TSFP3
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:6V
  • 截止频率 ft, 典型值:14GHz
  • 功耗, Pd:210mW
  • 集电极直流电流:35mA
  • 直流电流增益 hFE:120
  • 工???温度范围:-60°C to +150°C
  • 封装类型:TSFP3
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 关联增益 Ga:15.5dB
  • 功率, 1dB增益压缩 (P1dB):9dBm
  • 噪声:1dB
  • 封装类型:TSFP3
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:RF小信号
  • 最小增益带宽 ft:11000MHz
  • 测试频率:1.8GHz
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出, 三阶交叉点 IP3:24dB
  • 集电极连续电流:35mA
  • SMD标号:FB2
  • 封装类型:TSFP3
  • 总功率, Ptot:210mW
  • 最大连续电流, Ic:0.035A
  • 电压, Vcbo:15V
  • 电流, Ic hFE:15mA
  • 电流, Ic 最大:35mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:60
    		• 上海 0
    新加坡45
    英国88    		 1 5 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BFR340F - 晶体管 RF TSFP3 INFINEON - BFR340F - 晶体管 RF TSFP3
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:6V
  • 截止频率 ft, 典型值:14GHz
  • 功耗, Pd:60mW
  • 集电极直流电流:10mA
  • 直流电流增益 hFE:120
  • 工??温度范围:-65°C to +150°C
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 关联增益 Ga:16dB
  • 噪声:1.15dB
  • 封装类型:TSFP3
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:RF小信号
  • 最小增益带宽 ft:11000MHz
  • 测试频率:1.8GHz
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出, 三阶交叉点 IP3:12dB
  • 集电极连续电流:10mA
  • SMD标号:FAs
  • 封装类型:TSFP3
  • 总功率, Ptot:60mW
  • 最大连续电流, Ic:0.01A
  • 电压, Vcbo:15V
  • 电流, Ic hFE:5mA
  • 电流, Ic 最大:10mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:60
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国1683    		 1 5 询价,无需注册 订购
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