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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N33.3S - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
??离电压:5300V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
电流传递率(CTR) 最小值:500%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N33.300 - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:5μs
下降时间:100μs
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
电压, Vceo:30V
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:500%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N32.S - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
隔离??压:2500V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:SOIC
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:500%
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上海 0 新加坡15 英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N32.3S - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
??离电压:5300V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:SOIC
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:500%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N32.300 - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:5μs
下降时间:100μs
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:DIP-6
工作温度范围:-55°C to +100°C
电压, Vceo:30V
输出电压 最大:30V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:500%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N31 - 光耦合器 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:40μs
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:DIL
批准机构:CSA
电压, Vceo:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N30 - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:40μs
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
电压, Vceo:30V
输出电压 最大:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海990 新加坡 0 英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N29.S - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
隔离??压:5300V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:SOIC
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N29 - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:40μs
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
电压, Vceo:30V
输出电压 最大:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海300 新加坡 0 英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N28.300 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:2.5μs
下降时间:2.6μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL, VDE
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:10%
电流传递率(CTR), 典型值:10%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N27.S - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离??压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:10%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N27.3S - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
??离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:20%
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上海 0 新加坡100 英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N27 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:2.5μs
下降时间:2.6μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:10%
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上海290 新加坡 0 英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N26T-M - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
??离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:2.5μs
下降时间:2.6μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:20%
电流传递率(CTR), 典型值:20%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N26.300 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:2.5μs
下降时间:2.6μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL, VDE
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:20%
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停产 |
1 |
5 |
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