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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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VISHAY SILICONIX - BPV23NF - 光电二极管 0.05A 1.3V |
波长, 典型值:940nm
灵敏度:0.6A/W @ 950nm
半角:60°
暗电流:2nA
针脚数:2
工作温度范围:-55°C to +100°C
上升时间:70ns
击穿电压:60V
波长峰值:940nm
电压, Vr 最高:60V
活性区面积:5.7mm2
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上海 0
新加坡200
英国245 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - BPV22NF - 光电二极管 0.05A 1.3V |
波长, 典型值:940nm
灵敏度:0.6A/W @ 950nm
半角:60°
暗电流:2nA
封装形式:Side Looking
针脚数:2
工作温度范围:-55°C to +125°C
上升时间:100ns
击穿电压:60V
波长峰值:940nm
电压, Vr 最高:60V
封装类型:
活性区面积:7.5mm2
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上海 0
新加坡 0
英国206 |
1 |
1 |
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VISHAY - BPV22NF - 光电二极管 PIN |
波长, 典型值:940nm
灵敏度:0.6A/W
半角:60°
暗电流:2nA
针脚数:2
工作温度范围:-55°C to +125°C
上升时间:100ns
击穿电压:60V
外宽:4.5mm
外部深度:5mm
外部长度/高度:6mm
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:100°C
波长峰值:940nm
电压, Vr 最高:60V
下降时间:100ns
存储温度, 最低:-55°C
存储温度, 最高:100°C
封装类型:Side View
开路电压:370V
引线长度:26.5mm
引脚节距:2.54mm
正向电压 Vf 最大:1.3V
活性区面积:7.5mm2
短路电流:80μA
结温, Tj 最低:100°C
结温, Tj 最高:100°C
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上海47
新加坡3362
英国131 |
1 |
1 |
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VISHAY - BPV10NF - 光电二极管 PIN |
波长, 典型值:940nm
灵敏度:0.55A/W
带宽:100MHz
半角:20°
暗电流:1nA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +100°C
上升时间:2.5ns
击穿电压:60V
外径:5mm
外部长度/高度:8.6mm
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:100°C
波长峰值:940nm
电压, Vr 最高:60V
下降时间:2.5ns
存储温度, 最低:-55°C
存储温度, 最高:100°C
封装类型:T-1 3/4
开路电压:450mV
引线长度:26.3mm
引脚节距:2.54mm
正向电压 Vf 最大:1.3V
活性区面积:0.78mm2
短路电流:50μA
结温, Tj 最低:100°C
结温, Tj 最高:100°C
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上海28
新??坡1408
英国1314 |
1 |
1 |
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VISHAY - TEMD5100 - 光电二极管 PIN |
波长, 典型值:950nm
半角:65°
暗电流:2nA
针脚数:2
上升时间:100ns
击穿电压:60V
外宽:5mm
外???深度:4mm
外部长度/高度:1.1mm
波长峰值:950nm
电压, Vr 最高:60V
下降时间:100ns
存储温度, 最低:-55°C
存储温度, 最高:100°C
开路电压:350mV
活性区面积:7.5mm2
短路电流:50μA
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上海42
新加坡1141
英国651 |
1 |
1 |
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VISHAY - TEMD5000 - 光电二极管 |
波长, 典型值:900nm
半角:65°
暗电流:2nA
上升时间:100ns
击穿电压:60V
外宽:5mm
外部深度:4mm
外部长度/高度:1.1mm
波长峰值:900nm
电压, Vr 最高:60V
下降时间:100ns
存储温度, 最低:-55°C
存储温度, 最高:100°C
开路电压:350mV
活性区面积:7.5mm2
短路电流:70μA
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上海45
新加坡1197
英国 0 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - OPT301M - 光电二极管 |
光电二极管
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无库存 |
1 |
1 |
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OPTEK - OPR2100 - 光电二极管阵列 |
灵敏度:0.45A/W
暗电流:10nA
工作温度范围:-55°C to +125°C
击穿电???:50V
外宽:11.4mm
外部深度:10.4mm
外部长度/高度:1.6mm
波长峰值:890nm
电压, Vr 最高:50V
表面安装器件:表面安装
活性区面积:2.9mm2
电容值, Cj:10pF
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无库存 |
1 |
1 |
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OSRAM SYLVANIA - SFH2400FA-Z - 光探测器 SMD 滤波 |
波长, 典型值:900nm
半角:60°
暗电流:1nA
针脚数:3
工作温度范围:-40°C to +100°C
上升时间:5ns
电压, Vr 最高:20V
表面安装器件:表面安装
功耗 Pd @ Tc = 25C:120mW
正向电压, 于If:1.3V
活性区面积:1mm2
电容值, Cj:11pF
电流, If @ Vf:80mA
频谱范围最大:1100nm
频谱范围最小:750nm
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上海 0
新加坡 0
英国132 |
1 |
1 |
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OSRAM SYLVANIA - SFH2400-Z - 光探测器 SMD |
波长, 典型值:850nm
半角:60°
暗电流:1nA
针脚数:3
工作温度范围:-40°C to +100°C
上升时间:5ns
电压, Vr 最高:20V
表面安装器件:表面安装
功耗 Pd @ Tc = 25C:120mW
正向电压, 于If:1.3V
活性区面积:1mm2
电容值, Cj:11pF
电流, If @ Vf:80mA
频谱范围最大:1100nm
频谱范围最小:400nm
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上海 0
新加坡13
英国4270 |
1 |
5 |
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OSRAM SYLVANIA - BP104S-Z - 光电二极管 |
波长, 典型值:850nm
灵敏度:0.62A/W
半角:60°
暗电流:2nA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +100°C
上升时间:20ns
波长峰值:950nm
电压, Vr 最高:20V
表面安装器件:表面安装
活性区面积:2.2mm2
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上海 0
新加坡 0
英国302 |
1 |
1 |
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OSRAM SYLVANIA - BP104FS-Z - 光电二极管 |
波长, 典型值:850nm
灵敏度:0.7 A/W
半角:60°
暗电流:2nA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +100°C
上升时间:20ns
波长峰值:950nm
电压, Vr 最高:20V
表面安装器件:表面安装
活性区面积:4.84mm2
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上海 0
新加坡 0
英国1574 |
1 |
1 |
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OSRAM SYLVANIA - SFH203P - 光电二极管 |
波长, 典型值:850nm
灵敏度:0.62A/W @ 850nm
半角:60°
暗电流:1nA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +100°C
上升时间:0.002μs
外宽:4.4mm
外部深度:6.45mm
外部长度/高度:1.15mm
波长峰值:850nm
电压, Vr 最高:50V
LED/灯尺寸: 5mm平顶
下降时间:0.002μs
二极管类型:光电二极管
封装类型:T1_3/4平顶
波长, 频谱响应峰值:850nm
活性区面积:1mm2
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上海 0
新加坡38
英国2036 |
1 |
1 |
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OSRAM SYLVANIA - SFH213-FA - 光电二极管 IR滤波 |
波长, 典型值:900nm
灵敏度:0.59A/W @ 850nm
半角:20°
暗电流:1nA
针脚数:2
工作??度范围:-40°C to +100°C
上升时间:0.005μs
外部长度/高度:4.2mm
波长峰值:850nm
电压, Vr 最高:50V
LED/灯尺寸:T1_3/4
下降时间:0.005μs
二极管类型:Photodiode
封装类型:T-1 3/4
感光灵敏度:2.54
波长, 频谱响应峰值:900nm
活性区面积:1mm2
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上海 0
新加坡1231
英国14323 |
1 |
1 |
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OSRAM SYLVANIA - SFH213 - 光电二极管 |
波长, 典型值:850nm
灵敏度:0.62A/W @ 850nm
半角:20°
暗电流:1nA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +100°C
上升时间:0.005μs
波长峰值:850nm
电压, Vr 最高:50V
LED/灯尺寸:5mm
下降时间:0.005μs
二极管类型:Photodiode
封装类型:T-1 3/4
引脚节距:2.54mm
波长, 频谱响应峰值:850nm
活性区面积:1mm2
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上海1033
新加坡500
英国16157 |
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