• 1
• SPB100N08S2L07
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 524K

• 2
• SPB100N08S2L-07
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 310K

• 3
• SPB100N08S207
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 524K

• 4
• SPB100N08S2-07
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 309K

• 5
• SPB100N06S2L05
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 516K

• 6
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• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 310K

• 7
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• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 522K

• 8
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• Infineon Technologies Corporation
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• 8页
• 312K

• 9
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• Infineon Technologies Corporation
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• 8页
• 518K

• 10
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• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 309K

• 11
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• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 102K

• 12
• SPB100N04S2-04
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 311K

• 13
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• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 519K

• 14
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• 8页
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• 15
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• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 102K

• 16
• SPB100N03S2-03
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Power-Transistor
• 8页
• 416K

• 17
• SPB10090
• Microsemi Corporation
• 2 x 100 A Schottky Barrier Rectifier
• 2页
• 127K

• 18
• SPB10080
• Microsemi Corporation
• 2 x 100 A Schottky Barrier Rectifier
• 2页
• 127K

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• Microsemi Corporation
• 2 x 100 A Schottky Barrier Rectifier
• 2页
• 123K

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• Microsemi Corporation
• 2 x 100 A Schottky Barrier Rectifier
• 2页
• 127K

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• Microsemi Corporation
• 2 x 100 A Schottky Barrier Rectifier
• 2页
• 127K

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• Microsemi Corporation
• 2 x 100 A Schottky Barrier Rectifier
• 2页
• 127K

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• Microsemi Corporation
• 2 x 100 A Schottky Barrier Rectifier
• 2页
• 124K

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• SPB10010D
• Microsemi Corporation
• 2 X 100A Schottky Barrier Rectifier
• 2页
• 127K

• 25
• SPB100100
• Microsemi Corporation
• 2 x 100 A Schottky Barrier Rectifier
• 2页
• 127K

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