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  • NE552R679A-T1A
  • NEC Corporation
  • 3.0 V Operation Silicon RF Power LDMOS FET for 460 MHz 0.6 W Transmission Amplifiers
  • 9页
  • 67K
  • 3
  • NE552R679A-T1
  • NEC Corporation
  • 3.0 V Operation Silicon RF Power LDMOS FET for 460 MHz 0.6 W Transmission Amplifiers
  • 9页
  • 67K
  • 4
  • NE552R479A-T1A
  • NEC Corporation
  • 3.0 V Operation Silicon RF Power LDMOS FET for 2.45 GHz 0.4 W Transmission Amplifiers
  • 9页
  • 67K
  • 5
  • NE552R479A-T1
  • NEC Corporation
  • 3.0 V Operation Silicon RF Power LDMOS FET for 2.45 GHz 0.4 W Transmission Amplifiers
  • 9页
  • 67K
  • 6
  • NE5520379A-T1A
  • NEC Corporation
  • 3.2 V Operation Silicon RF Power LDMOS FET for GSM/DCS Dual-Band Phone Transmission Amplifiers
  • 11页
  • 65K
  • 7
  • NE5520379A-T1
  • NEC Corporation
  • 3.2 V Operation Silicon RF Power LDMOS FET for GSM/DCS Dual-Band Phone Transmission Amplifiers
  • 11页
  • 65K
  • 8
  • NE5520279A-T1A
  • NEC Corporation
  • 3.2 V Operation Silicon RF Power LDMOS FET for 1.8 GHz 1.6 W Transmission Amplifiers
  • 9页
  • 66K
  • 9
  • NE5520279A-T1
  • NEC Corporation
  • 3.2 V Operation Silicon RF Power LDMOS FET for 1.8 GHz 1.6 W Transmission Amplifiers
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