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  • KMM5361205C2WG-6
  • Samsung Semiconductor, Inc.
  • 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh,
  • 17页
  • 275K
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  • KMM5361205C2WG-5
  • Samsung Semiconductor, Inc.
  • 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh,
  • 17页
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