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  • F2002S
  • Polyfet RF Devices
  • PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
  • 2页
  • 35K
  • 2
  • F2002A
  • OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co.
  • InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (587 nm, High Optical Power)
  • 8页
  • 80K
  • 3
  • F2002
  • Polyfet RF Devices
  • PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
  • 2页
  • 37K
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